Cyflwyniad Cynnyrch
Carbid silicon gwyrdd ar gyfer electroneg ac optoelectronegoherwydd ei effeithlonrwydd amledd uchel, colled isel, a gwrthiant ymbelydredd, gan ei gwneud yn addas i'w ddefnyddio mewn dyfeisiau RF a dyfeisiau lled-ddargludyddion pŵer.
Yn ogystal, pan ddaw i'rcarbid silicon gwyrdd ar gyfer electroneg ac optoelectroneg, bydd hefyd yn cael ei gymhwyso yn y maes optegol fel deunydd sylfaen ar gyfer dyfeisiau optoelectroneg a dyfeisiau cyfathrebu optegol.
Yn fyr, gyda datblygiad ac iteriad technoleg,carbid silicon gwyrdd ar gyfer electroneg ac optoelectroneghefyd yn dod yn un o'r prif ddeunyddiau anhepgor ar gyfer y genhedlaeth newydd o dechnoleg.
Paramedr Cynnyrch (Manyleb)
|
SiC |
Fe₂O₃ |
F.C |
|
Mwy na neu'n hafal i 99.0% |
Llai na neu'n hafal i 0.70% |
Llai na neu'n hafal i 0.25% |
|
SiO₂ |
Si |
Carbon |
|
Llai na neu'n hafal i 0.20% |
69.35%-70.00% |
29.70%-29.90% |
|
Gwir Dwysedd |
Ymdoddbwynt |
HM |
|
3.20-3.25g/㎝³ |
2600-2730 gradd |
9.2-9.5 |
|
Diagram dosbarthiad maint gronynnau |
|||||
|
Mae'r cynnyrch yn cydymffurfio â safonau cenedlaethol.:GBT2480-2008 |
|||||
|
Dosbarthiad grawn |
Y brasaf grawn |
Y brasach grawn |
Dosbarthiad grawn |
Y brasaf grawn |
Y brasach grawn |
|
Llwyddodd 100% i basio'r dangosiad |
o gelloedd ddim yn pasio drwy'r rhidyll yn ôl pwysau % Llai na neu hafal i |
Llwyddodd 100% i basio'r dangosiad |
o gelloedd ddim yn pasio drwy'r rhidyll yn ôl pwysau % Llai na neu hafal i |
||
|
10# |
6 |
8/20 |
70# |
32 |
34/20 |
|
12# |
7 |
8/20 |
80# |
34 |
36/20 |
|
14# |
8 |
12/20 |
90# |
36 |
38/20 |
|
16# |
10 |
14/20 |
100# |
38 |
40/20 |
|
20# |
12 |
16/20 |
120# |
40 |
42/20 |
|
24# |
16 |
20/20 |
150# |
42 |
44/20 |
|
30# |
18 |
22/20 |
180 # |
44 |
46/20 |
|
46# |
26 |
28/20 |
220# |
46 |
48/20 |
|
60# |
30 |
32/20 |
240# |
48 |
50/20 |
Canolbwyntio ar Gynnyrch
Canolbwyntiwch ar gynhyrchu cynnyrch a gwasanaeth cwsmeriaid.
Carbid silicon gwyrdd ar gyfer electroneg ac optoelectronegyn cael ei ddefnyddio'n gyffredin ym meysydd electroneg ar gyfer gwrthdroyddion cerbydau ynni newydd a gwrthdroyddion ffotofoltäig. Fodd bynnag, chwyddseinyddion pŵer RF yw dyfeisiau RF yn bennaf, sydd hefyd yn addas ar gyfer amgylcheddau gofod neu ymbelydredd oherwydd eu gwrthiant tymheredd uchel rhagorol a'u gwrthiant ymbelydredd. Fe'i defnyddir yn aml ym maes optoelectroneg ar gyfer synwyryddion uwchfioled, deuodau allyrru golau uwchfioled dwfn, a chymwysiadau eraill.
Cyflwyno, Cludo a Gweini
- Cynhyrchu proffesiynol, yn ddiffuant i bobl.
- Cefnogi gwasanaethau addasu byd-eang.
- Poeni am ddim ar ôl-gwasanaeth gwerthu.
FAQ
Carbid silicon gwyrdd ar gyfer electroneg ac optoelectronegyn gynnyrch deunydd crai a all leihau costau dyfais uned, gwella effeithlonrwydd, a hyrwyddo manteision trawsffiniol. Mae ei briodweddau ffisegol a chemegol rhagorol hefyd wedi gwneud i garbid silicon dorri trwy ddeunyddiau traddodiadol sy'n seiliedig ar silicon a dod yn gyfystyr â thechnolegau newydd.
Tagiau poblogaidd: carbid silicon gwyrdd ar gyfer electroneg ac optoelectroneg, carbid silicon gwyrdd Tsieina ar gyfer gweithgynhyrchwyr electroneg ac optoelectroneg, cyflenwyr
